
随着电子设备向小型化、高效化方向发展,高频开关电源成为主流设计趋势。在此背景下,肖特基二极管凭借其独特结构和优异性能,逐渐取代传统功率二极管在许多高频应用中的地位。本文将深入探讨其背后的技术原因。
传统功率二极管因存在少数载流子存储效应,导致反向恢复时间(trr)较长。当电路频率升高时,该延迟会引发显著的开关损耗和电磁干扰(EMI)。而肖特基二极管基于多数载流子导电机制,无明显载流子存储现象,反向恢复时间可缩短至几纳秒,极大提升了高频下的工作稳定性。
肖特基二极管的正向压降(Vf)通常仅为0.2~0.5V,远低于功率二极管的0.7~1.5V。在高电流条件下,这一差异直接转化为更低的导通损耗。例如,在一个10A负载下,肖特基二极管的功耗可比普通二极管降低约80%,显著提高整体系统效率。
由于其固有的快速开关特性,肖特基二极管可在数百kHz甚至数MHz频率下稳定运行。这使其成为现代开关电源(SMPS)、LLC谐振变换器、无线充电模块等高频拓扑的理想选择。
尽管优势明显,肖特基二极管仍存在以下挑战:
为此,工程师常采用“并联保护”或“搭配稳压二极管”等方式优化系统设计。
肖特基二极管之所以在高频电路中占据主导地位,根本原因在于其独特的物理机制带来的低损耗、高速度、高效率三大优势。然而,合理选型与系统级设计仍是发挥其潜力的关键。
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